SI7450DP-T1-GE3 | Vishay 单MOSFET | Avnet Asia Pacific

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SI7450DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R

SI7450DP-T1-GE3 | 单MOSFET | Vishay
Vishay
制造商: Vishay
安富利制造商模型#: SI7450DP-T1-GE3
RoHS 6 Compliant

Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R

技术参数

  • TrenchFET® Power MOSFETs
  • New Low Thermal Resistance PowerPAK® Package with Low 1.07 mm Profile
  • PWM Optimized for Fast Switching
  • 100 % Rg Tested

技术特性

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描述
沟道类型 N Channel
晶体管安装 Surface Mount
引脚数 8
最高工作温度 150 °C
栅极源极阈值电压最大值 4.5
连续漏极电流Id 19.8
漏源导通电阻 80
漏源电压Vds 200
功率耗散 1.9
导通电阻测试电压 10
晶体管外壳样式 PowerPAK SO

ECCN / UNSPSC

描述
ECCN: EAR99
计划交货期 B: PARTS...
HTSN: PARTS...
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