制造商:
Vishay
Si2302CDS-T1-GE3
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
安富利制造商模型#:
SI2302CDS-T1-GE3
第二制造商零件#: 73W9408
RoHS 10 Compliant
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
技术参数
- TrenchFET® Power MOSFET
- VDS (V) is 20 for RDS(on) (Ω) 0.057 at VGS = 4.5 V
技术特性
查找类似的料号|
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描述 | 值 |
|---|---|---|
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最高工作温度 | 150 |
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导通电阻测试电压 | 4.5 |
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连续漏极电流Id | 2.6 |
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漏源导通电阻 | 57 |
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功率耗散 | 710 |
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沟道类型 | N |
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晶体管外壳样式 | SOT-23 |
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晶体管安装 | Surface Mount |
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漏源电压Vds | 20 |
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MSL 级别 | MSL 1 - Unlimited |
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引脚数 | 3 |
ECCN / UNSPSC
| 描述 | 值 |
|---|---|
| ECCN: | EAR99 |
| 计划交货期 B: | PARTS... |
| HTSN: | PARTS... |