制造商:
Vishay
SI2301CDS-T1-GE3
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.1 A, -20 V, 90 mohm, -4.5 V, -400 mV
安富利制造商模型#:
SI2301CDS-T1-GE3
RoHS 6 Compliant
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.1 A, -20 V, 90 mohm, -4.5 V, -400 mV
技术参数
- Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
- TrenchFET Power MOSFET
- Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
技术特性
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描述 | 值 |
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最高工作温度 | 150 °C |
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导通电阻测试电压 | 4.5 |
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产品范围 | TrenchFET Series |
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引脚数 | 3 |
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晶体管安装 | Surface Mount |
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漏源电压Vds | 20 V |
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漏源导通电阻 | 112 mOhm |
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MSL 级别 | MSL 1 - Unlimited |
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沟道类型 | P |
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晶体管外壳样式 | SOT-23 (TO-236) |
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连续漏极电流Id | 3.1 A |
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功率耗散 | 1.6 W |
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栅极源极阈值电压最大值 | 1 V |
ECCN / UNSPSC
| 描述 | 值 |
|---|---|
| ECCN: | EAR99 |
| 计划交货期 B: | PARTS... |
| HTSN: | PARTS... |