制造商:
Vishay
SI1926DL-T1-GE3
DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
安富利制造商模型#:
SI1926DL-T1-GE3
RoHS 10 Compliant
NCNR
Obsolete
DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
技术参数
- TrenchFET® power MOSFET
- 100 % Rg tested
- ESD protected: 1800 V
技术特性
查找类似的料号|
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描述 | 值 |
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最高工作温度 | 150 |
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功率耗散N沟道 | 510 |
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引脚数 | 3 |
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漏源电压Vds N沟道 | 60 |
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漏源导通电阻N沟道 | 1.4 |
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连续漏极电流Id N沟道 | 0.37 |
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MSL 级别 | MSL 1 - Unlimited |
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沟道类型 | Dual N |
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晶体管外壳样式 | SOT-363 |
ECCN / UNSPSC
| 描述 | 值 |
|---|---|
| ECCN: | EAR99 |
| 计划交货期 B: | PARTS... |
| HTSN: | PARTS... |