巧妙分离电气通路与散热通路Q-DPAK顶部散热实现极致功率密度
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英飞凌CoolSiC™ MOSFET 1200V G2系列产品采用先进的Q-DPAK顶部冷却封装，针对高功率密度与高温运行场景优化设计，适用于电动汽车充电、光伏、UPS、固态断路器、工业驱动及AI等领域。我们现推出IMCQ120R017M2H 与 IMCQ120R034M2H 两款器件免费样品试用活动，诚邀工程师、研发团队及行业小伙伴们亲身体验！
为什么选择QDPAK封装？
Q-DPAK顶部散热封装技术旨在帮助设计师简化制造流程并提高功率密度，其核心理念在于将器件的电气连接（在底部）与热界面（在顶部）分离开来，从而巧妙结合了两种传统封装方式的优点。
传统的TO-247封装虽然能直接安装在散热器上以获得良好的热性能，但其通孔焊接（THT）工艺在PCB生产过程中需要人工处理，增加了制造复杂度。而标准的表面贴装技术（SMT）器件（如TO-263-7）虽然支持全自动处理，但热量必须通过导热率有限的PCB板耗散，限制了散热性能。采用绝缘金属衬底（IMS）虽能改善导热，却又会增加成本和设计复杂性。
CoolSiC™ Q-DPAK顶部散热封装则提供了“两全其美”的解决方案：它既保留了SMT技术所带来的全自动制造效率，又能实现媲美媲美甚至超越标准TO-247封装的热性能，通过器件顶部的专用散热面直接连接高效散热器，热量得以快速耗散，从而显著降低器件结温，提升系统可靠性。
Q-DPAK顶部散热设计支持更优化的PCB布局，这不仅减少了寄生参数和杂散电感的影响，从而降低了开关损耗和导通损耗，还允许在标准PCB的两面布置元器件，使得整体系统设计更加紧凑和简易。结合其卓越的散热能力，设计师能够在更小的空间内处理更大的功率，最终实现更高的功率密度。
产品速览
CoolSiC™ 1200 V G2 in Q-DPAK：在提升效率的同时，实现更高性能、更紧凑的设计
| 产品特点 | 应用价值 |
|---|---|
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参数 |
IMCQ120R017M2H |
IMCQ120R034M2H |
| Ciss | 3730 pF | 1920 pF |
| Coss | 126 pF | 64 pF |
| ID (@25°C) max | 118 A | 64 A |
| Ptot (@ TA=25°C) max | 580 W | 326 W |
| Qgd | 20.6 nC | 10.4 nC |
| QG | 91.1 nC | 48.7 nC |
| RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 17.1 mΩ | 34 mΩ |
| RthJA max | 67 K/W | 67 K/W |
| RthJC max | 0.26 K/W | 0.46 K/W |
| Tj max | 200 °C | 200 °C |
| VDS max | 1200 V | 1200 V |
| 安装 | SMD | SMD |
| 工作温度 | -55 °C to 175 °C | -55 °C to 175 °C |
| 引脚数量 | 22 Pins | 22 Pins |
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IMCQ120R017M2H |
IMCQ120R034M2H |
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Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本，开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
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