特点
- Easy封装的CoolSiC™MOSFET产品具有最低的杂散电感
- 优越的栅氧化层的可靠性
- 与硅相比，开关损耗降低了近80%，因此能够实现更高的搅拌摩擦开关(fsw)操作
- 具有低反向恢复电荷的本征二极管
- 最高阈值电压为Vth > 4V
- 在一个小的Easy封装中含有多个开关，实现非常紧凑的解决方案
- CoolSiC™ MOSFET作为英飞凌芯片组合的补充
主要元件
- F4-23MR12W1M1_B11
- F3L15MR12W2M1_B69
优势
- 操作上具有更高的开关速度，可达50 kV /µs
- 转炉系统寿命更长
- 高效率和低冷却需求，降低了系统和操作成本
- 提高功率密度
- 更有效地克服寄生参数造成的开通干扰性
- 简化系统集成和制造工作
- 优化单个转换器拓扑的混合模块解决方案