CoolGaN 600 V增強型HEMT
最新發布的CoolGaN 600 V增強型HEMT採用可靠的常閉概念，它經專門優化，可實現快速開通和關斷。它們可在開關模式電源（SMPS）中實現高能效和高功率密度，其優值係數（FOM）在當前市場上的所有600 V元件中首屈一指。 CoolGaN開關的柵極電荷極低，且具有極少輸出電容，可在反向導通狀態下提供優異的動態性能，進而大幅提高工作頻率，從而通過縮小被動元件的總體尺寸，提高功率密度。英飛凌CoolGaN 600 V增強型HEMT在功率因數校正（PFC）變流器裡具有超高的能效（2.5 kW PFC能效 > 99.3％）。相同能效下的功率密度可達到160 W / in3（3.6 kW LLC能效 > 98％）。在諧振拓撲中，CoolGaN線性輸出電容可將死區時間縮短至八分之一到十分之一。
CoolGaN 600 V增強型HEMT可提供70 mΩ和190 mΩ的SMD封裝，確保傑出的散熱性能和低寄生效應。通過提供全系列SMD封裝產品，英飛凌旨在支持高頻運行的應用，如企業級超大規模數據中心伺服器、電信整流器、適配器、充電器、SMPS和無線充電設施等。
氮化鎵開關管專用驅動IC（GaN EiceDRIVER IC）:
新推出的氮化鎵開關管驅動晶片EiceDRIVER IC——1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H——是CoolGaN增強型HEMT的完美搭檔。它們經專門研發，以確保CoolGaN開關實現強健且高效的運行，同時最大限度地減少工程師研發工作量，加快將產品推向市場。
不同於傳統功率MOSFET的柵極驅動IC，這個針對英飛凌CoolGaN量身定制的柵極驅動IC可提供負輸出電壓，以快速關斷氮化鎵開關。在開關應處於關閉狀態的整個持續時間內，GaN EiceDRIVER IC可以使柵極電壓穩定保持為零。這可保護氮化鎵開關不受噪音導致誤接通的影響，哪怕是首脈衝，這對於SMPS實現強健運行至關重要。氮化鎵柵極驅動IC可實現恆定的GaN HEMT開關轉換速率，幾乎不受工作循環或開關速度影響。這可確保運行穩健性和很高能效，大大縮短研發週期。它整合了電氣隔離，可在硬開關和軟開關應用中實現強健運作。它還可在SMPS一次側和二次側之間提供保護，並可根據需要在功率級與邏輯級之間提供保護。
主要特點
- 最可靠的基於GaN的解決方案，在所有可用的GaN元件中提供最高性能
- 為供應鏈中每一環節提供專業製造知識
- 支持全球應用設計
- 廣泛的產品組合，包括開關和驅動器
應用
- 伺服器
- 電信
- 適配器和充電器
- 無線充電
- D類音頻