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Infineon

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CIPOS™ Maxi碳化矽智慧功率模組IM828-XCC

 

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高性能CIPOS™ Maxi移轉模製碳化矽IPM

英飛凌將一個經優化的6通道 1200 V SOI閘極驅動器和6顆CoolSiC™ MOSFET整合到 DIP 36X23D封裝中,推出全球首個1200 V移轉模製碳化矽(SiC)智慧功率模組(IPM)。這個CIPOS™ Maxi 家族的新成員瞄準變速馬達應用,如工業馬達、泵和HVAC,可助力輕鬆將碳化矽(SiC)技術整合到馬達電源設計中。

IM828-XCC整合6顆CoolSiC™ MOSFET和一個經優化的1200 V 6通道SOI閘極驅動器,可提高可靠性,提供卓越的保護,優化PCB尺寸和系統成本。

這個 IPM採用1200 V級別最小巧、最精簡的封裝,兼具 8 kW以上額定功率和優異的功率密度、可靠性和性能。它可提供卓越的保護,如所有通道均實現欠壓閉鎖、觸發保護時所有開關元件均關閉、防跨導 、過流關斷、溫度監測等。

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特色

  • 採用DCB的全隔離雙列直插式成型模組
  • 1200 V CoolSiC™ MOSFET
  • 堅固耐用的1200 V SOI閘極驅動器技術
  • 整合自舉功能
  • 過流關斷
  • 所有通道均實現欠壓閉鎖
  • 觸發保護時6個開關元件全部關閉
  • 防跨導
  • 可承受的負電壓VS高達-11 V,以實現訊號傳輸VBS=15 V
  • 低側射極引腳可供使用

目標應用

  • 三相PFC
  • 適用 HVAC的主動濾波器(主動功率因素校正)
  • 低功率通用馬達(GPI、伺服馬達)

優勢

  • 最小封裝尺寸1200 V級別IPM,可實現很高功率密度和出色性能
  • 更加堅固耐用的閘極驅動器技術,可提供卓越的保護
  • 高能效,最高可達99%
  • 開關速度範圍大,最高可達80 kHz
  • 針對快速開關應用而改良,降低功率損耗
  • 簡化設計和生產

 

 

 

 

 


下載資料錶

 

方塊圖

Infineon CIPOS™ Maxi SiC IPM IM828-XCC

     Internal electrical schematic