1200V 碳化硅 单管 MOSFET

采用TO247 3脚和4脚封装的Infineon CoolSiC™1200 V MOSFET，可满足电源转换中对节能SiC解决方案的快速增长的需求，例如电池充电基础设施，储能解决方案，光伏逆变器，不间断电源（UPS），电机驱动器和工业电源。新的分立产品系列的额定电阻从30mΩ至350mΩ不等，适用于1 kW至80 kW的三相电力系统。

分立的碳化硅（SiC）CoolSiC™MOSFET非常适合于硬开关和谐振开关拓扑

分立封装中的CoolSiC™SiC MOSFET建立在最先进的沟槽半导体工艺之上，该工艺经过优化，实际应用中可实现最低的损耗和最高的可靠性。与温度无关的低开关损耗以及额定用于硬换向的快速内部续流二极管使分立封装的CoolSiC™MOSFET非常适合硬开关和谐振开关拓扑，例如功率因数校正（PFC）电路，双向拓扑和DC-DC转换器或DC-AC逆变器。出色的抗寄生寄生效应的能力，即使在桥拓扑中的零电压关断时，也能实现基准的低动态损耗。