CoolSiC™ MOSFET G2，助力下一代高性能电源系统
所有现代硅功率器件都基于沟槽技术，并已取代了平面技术，那么碳化硅呢？ 就碳化硅而言，沟槽设计在性能优势方面与 Si 功率 MOSFET 技术的发展有许多相似之处。 采用碳化硅沟槽设计还有一个显著优势，即可靠性。 在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明显低于横向界面。这就为性能和鲁棒性特征与可靠性的匹配提供了新的优化潜力。 可靠性是英飞凌所有功率器件开发的基础，CoolSiC™ MOSFET G2 沟槽技术继承了 G1 的高可靠性。 基于所有已售出的 CoolSiC™ MOSFET G1、分立器件和工业级模块的 DPM（百万分之一缺陷率）数据显示，SiC 的产品失效率甚至低于 Si 功率开关这一非常成熟的技术。 英飞凌还率先开展了应用寿命测试，如今某些测试已被纳入 JEDEC 标准。 CoolSiC™ 沟槽式 MOSFET 设计推动了现在和未来在能效方面的可持续竞争力。
了解新型 CoolSiC™ MOSFET G2 沟槽式 MOSFET 如何将 SiC 产品性能提升到一个新高度，同时满足所有常见电源方案的最高质量标准：AC-DC、DC-DC 和 DC-AC。 在光伏逆变器、储能系统、电动汽车充电、电源、电机驱动等众多应用中，SiC MOSFET 都能提供比 Si MOSFET 更高的性能。
CoolSiC™ MOSFET G2 产品具有一系列新的鲁棒性，可在长期实际运行中达到最佳性能。
每处理一瓦特电能的能率
功耗是关键。 探索新型 CoolSiC™ MOSFET G2 沟槽技术如何改善 AC-DC、DC-DC、 DC-AC 等电源方案中常用拓扑结构的功率传输。 与上一代产品相比，MOSFET 在硬开关和软开关运行时的关键性能指标都提高了 20% 以上。 此外，快速开关能力（即 SiC MOSFET 的特征）也提高了 30% 以上。 因此，G2 系列在光伏逆变器、储能装置、电动汽车充电、UPS 等所有运行模式下的功耗都较低。
提高特定外形尺寸下的功率标准
集 SiC 的优点于一身：外形小巧，功耗低。 SiC MOSFET 的导通电阻越低，传导损耗也就越低，从而提高了能效、功率密度并减少了器件数量。 CoolSiC™ G2 MOSFET 产品组合降低了 SiC MOSFET 市场的最低 Rdson。 采用 SMD 封装的同类最佳产品，使 TO263-7 封装的 耐压650 V 和 1200 V 的导通电阻额定值分别达到 7 mOhm 和 8 mOhm。采用 .XT 改进封装互连，使器件热阻更小，输出功率更大，工作温度更低。SMD 封装可提供的功率提高了 60% 以上，提升了功率转换方案的功率密度标准。
为使用碳化硅性能设定新标准
适用于硬开关和
谐振开关拓扑结构
英飞凌650 V CoolSiC™ MOSFET G2系列可优化大电流和低电容条件下的开关性能，适用于各种工业应用场合，包括服务器、电信设备、电机驱动等。
在长期实际运行中
达到最佳性能
1200 V MOSFET G2系列适用于工业和汽车领域，如车载充电器/PFC、辅助逆变器和不间断电源（UPS）。以三相电源方案为例，与上一代 1200 V CoolSiC™ 产品相比，根据负载情况，G2 系列运行时的功耗降低了 5-30%，从而提高了功率传输中的每瓦特电能的利用率。
适合 CoolSiC™ MOSFET 的
栅极驱动器 IC
集成电气隔离功能的栅极驱动器IC是 CoolSiC™ MOSFET等650 V和1200 V超快速开关功率晶闸管的理想驱动方案。这些栅极驱动器具备驱动碳化硅MOSFET所需的最重要的关键功能和参数，比如传播延迟精准匹配、精确的输入滤波器、宽范围的输出侧电源、负栅极电压能力、有源米勒钳位、扩展的共模瞬态抗扰度（CMTI）能力、退饱和 (DESAT) 保护以及输入-输出电气隔离。