寬帶隙材料將為未來的高性能應用提供動力
越來越多且最重要的應用和當前電子行業的大趨勢需要高電壓、高頻率和高溫性能的產品，但這已超出一般矽功率裝置可實現的性能。
採用碳化矽（SiC）為材料的寬帶隙半導體技術出現，為重要和高成長的終端應用帶來顯著的優勢和可靠性；例如汽車DC-DC直流變壓器和電動車的車載充電器應用，以及太陽能、不間斷電源和伺服器電源等。
寬帶隙技術提供先進的性能：
- 更快的開關速度
- 更低的功率損耗
- 增加功率密度
- 更高的工作溫度
這種性能與未來的市場需求和趨勢一致:
- 更高的效率
- 緊湊型解決方案
- 重量更輕
- 降低系統成本
- 提高可靠性
應用
- 太陽能升壓轉換器和逆變器
- 功率因數校正
- 電動汽車充電
- 不間斷電源
- 伺服器和電信電源
安森美半導體的碳化矽系列包括：
- 二極體
- 絕緣柵雙極電晶體
- 模組
- 金氧半場效電晶體
- 驅動器
為何選擇SiC二極體？
- 無反向恢復電流
- 更高的開關頻率
- 低正向電壓（VF）
- 溫度範圍內的漏電流穩定
- 更高的浪湧容量和雪崩能量
- 更高的工作溫度（TJMAX = 175°C）
這些特性提供真正的價值：
- 減少磁性和其他被動元件
- 更高的功率密度和更低的系統成本
- 更高的可靠性
- 更高的系統效率
商用
| IF(ave) (A) | VRRM 650V | VRRM 1200V |
|---|---|---|
| 4 | FFSB0465A (D2PAK2 (TO-263-2L)) | |
| 4 | FFSD0465A (DPAK-3 / TO-252-3) | |
| 4 | FFSM0465A (PQFN-4) | |
| 4 | FFSP0465A (TO-220-2) | |
| 5 | FFSP05120A (TO-220-2) | |
| 6 | FFSB0665A (D2PAK-3 / TO-263-2) | |
| 6 | FFSD0665A (DPAK-3 / TO-252-3) | |
| 6 | FFSM0665A (PQFN-4) | |
| 6 | FFSP0665A (TO-220-2) | |
| 6 | FFSPF0665A (TO-220 FP / TO-220F-2FS) | |
| 8 | FFSB0865A (D2PAK-3 / TO-263-2) | |
| 8 | FFSD0865A (DPAK-3 / TO-252-3) | FFSD08120A (DPAK-3 / TO-252-3) |
| 8 | FFSM0865A (PQFN-4) | |
| 8 | FFSP0865A (TO-220-2) | FFSP08120A (TO-220-2) |
| 8 | FSPF0865A (TO-220 FP / TO-220F-2FS) | |
| 10 | FFSB1065A (D2PAK-3 / TO-263-2) | FFSB10120A (D2PAK-3 / TO-263-2) |
| 10 | FFSD1065A (DPAK-3 / TO-252-3) | FFSD10120A (DPAK-3 / TO-252-3) |
| 10 | FFSH10120A (TO-247-2) | |
| 10 | FFSH10120ADN (TO-247-3) | |
| 10 | FFSM1065A (PQFN-4) | |
| 10 | FFSP1065A (TO-220-2) | FFSP10120A (TO-220-2) |
| 10 | FFSPF1065A (TO-220 FP / TO-220F-2FS) | |
| 12 | FFSB1265A (D2PAK-3 / TO-263-2) | |
| 12 | FFSM1265A (PQFN-4) | |
| 12 | FFSP1265A (TO-220-2) | FFSP15120A (TO-220-2) |
| 15 | FFSH15120A (TO-247-2) | |
| 15 | FFSH15120ADN (TO-247-3) | |
| 16 | FFSH1665A (TO-247-2) | |
| 16 | FFSH1665ADN (TO-247-3) | FFSH20120ADN (TO-247-3) |
| 16 | FFSP1665A (TO-220-2) | |
| 20 | FFSB20120A (D2PAK-3 / TO-263-2) | |
| 20 | FFSH2065A (TO-247-2) | FFSH20120A (TO-247-2) |
| 20 | FFSH2065ADN (TO-247-3) | FFSH20120ADN (TO-247-3) |
| 20 | FFSP2065A (TO-220-2) | FFSP20120A (TO-220-2) |
| 20 | FFSPF2065A (TO-220 FP / TO-220F-2FS) | |
| 30 | FFSH3065A (TO-247-2) | |
| 30 | FFSH30120A (TO-247-2) | |
| 30 | FFSH3065ADN (TO-247-3) | FFSH30120ADN (TO-247-3) |
| 30 | FFSP3065A (TO-220-2) | |
| 40 | FFSH4065A (TO-247-2) | FFSH40120A (TO-247-2) |
| 40 | FFSH4065ADN-F155 (TO-247-3) | FFSH40120ADN (TO-247-3) |
| 50 | FFSH5065A (TO-247-2) | |
| 50 | FFSH5065A -F155 (TO-247-3LD) | FFSH50120A (TO-247-2) |
汽車
| IF(ave) (A) | VRRM 650V | VRRM 1200V |
|---|---|---|
| 10 | FFSB1065B-F085 (D2PAK-3 / TO-263-2) | FFSB10120A-F085 (D2PAK-3 / TO-263-2) |
| 10 | FFSD1065B-F085 (DPAK-3 / TO-252-3) | |
| 10 | FFSH1065B-F085 (TO-247-2LD) | FFSH10120A-F085 7-2) |
| 10 | FFSH20120ADN-F085 (TO-247-3) | |
| 10 | FFSP1065B-F085 (TO-220-2) | |
| 20 | FFSB2065BDN-F085 (D2PAK-3 / TO-263-2) | FFSB20120A-F085 (D2PAK-3 / TO-263-2) |
| 20 | FFSB2065B-F085 (D2PAK-3 / TO-263-2) | |
| 20 | FFSH20120A-F085 (TO-247-2) | |
| 20 | FFSH2065BDN-F085 (TO-247-3) | FFSH40120ADN-F085 (TO-247-3) |
| 20 | FFSH2065B-F085 (TO-247-2LD) | |
| 20 | FFSP2065B-F085 (TO-220-2) | |
| 30 | FFSB3065B-F085 (D2PAK-3 / TO-263-2) | |
| 30 | FFSH3065B-F085 (TO-247-2) | |
| 30 | FFSP3065B-F085 (TO-220-2) | |
| 40 | FFSH4065BDN-F085 (TO-247-3LD) | FFSH40120ADN-F085 (TO-247-3) |
| 50 | FFSH5065B-F085 (TO-247-2LD) |
絕緣柵雙極電晶體(IGBT)和SiC二極體 共同封裝
- AFGHL50T65SQDC：混合IGBT，650V，50A Fieldstop 4溝槽IGBT 和SiC-SBD
SiC二極體+ IGBT的模組
- FPF2G120BF07AS: 功率集成模組，F2, SiC 二極體 + IGBT, 650 V, 40 A
- FPF2C110BI07AS2: 功率集成模組， F2, SiC 二極體 + MOSFET + IGBT, 650 V
- FPF2G120BF07ASP: 功率集成模組，F2, SiC 二極體+ IGBT, 650V, 40A 熱介面材料
- NXH80B120H2Q0SG: 功率集成模組，SiC 二極體 + IGBT, 1200 V, 40 A
碳化矽MOSFET
工業
- NTHL080N120SC1: N通道型，碳化矽MOSFET 1200 V，80mΩ，TO247-3L
汽車
- NVHL080N120SC1: N通道型，碳化矽MOSFET 1200 V, 80 mΩ, TO247−3L
碳化矽MOSFET 驅動器
- NCP51705: 碳化矽 MOSFET驅動器, 低側, 單路 6A高速