宽禁带材料将为未来的高性能应用提供动力
最重要的应用和当前电子行业的大趋势越来越多地需要高电压、高频率和高温性能的产品，但这已超出常规硅器件可实现的性能。
采用碳化硅（SiC）等材料的宽禁带半导体新兴技术的出现，为重要的高成长性终端应用领域带来显著的优势和更高可靠性，这些领域包括汽车DC-DC 直流变压器和电动车的车载充电器应用，以及太阳能、不间断电源和伺服器电源等。
宽禁带技术提供更先进的性能：
- 更快的开关速度
- 更低的功率损耗
- 更高的功率密度
- 更高的工作温度
这种性能与未来的市场需求和趋势一致:
- 更高的效率
- 紧凑型解决方案
- 重量更轻
- 系统成本更低
- 更高可靠性
应用
- 太阳能升压转换器和逆变器
- 功率因数校正
- 电动汽车充电
- 不间断电源
- 伺服器和电信设备电源
安森美半导体的碳化硅系列包括：
- 二极管
- 绝缘栅双极晶体管
- 模块
- MOSFET
- 驱动器
为何选择碳化硅（SiC）二极管？
- 无反向恢复电流
- 开关频率更高
- 低正向电压（VF）
- 漏电流的温度稳定性好
- 浪涌和雪崩容量更高
- 工作结温更高（TJMAX = 175°C）
这些特性提供真正的价值：
- 减少磁性和其他被动元件
- 更高的功率密度和更低的系统成本
- 更高的可靠性
- 更高的系统效率
商用
| IF(ave) (A) | VRRM 650V | VRRM 1200V |
|---|---|---|
| 4 | FFSB0465A (D2PAK2 (TO-263-2L)) | |
| 4 | FFSD0465A (DPAK-3 / TO-252-3) | |
| 4 | FFSM0465A (PQFN-4) | |
| 4 | FFSP0465A (TO-220-2) | |
| 5 | FFSP05120A (TO-220-2) | |
| 6 | FFSB0665A (D2PAK-3 / TO-263-2) | |
| 6 | FFSD0665A (DPAK-3 / TO-252-3) | |
| 6 | FFSM0665A (PQFN-4) | |
| 6 | FFSP0665A (TO-220-2) | |
| 6 | FFSPF0665A (TO-220 FP / TO-220F-2FS) | |
| 8 | FFSB0865A (D2PAK-3 / TO-263-2) | |
| 8 | FFSD0865A (DPAK-3 / TO-252-3) | FFSD08120A (DPAK-3 / TO-252-3) |
| 8 | FFSM0865A (PQFN-4) | |
| 8 | FFSP0865A (TO-220-2) | FFSP08120A (TO-220-2) |
| 8 | FSPF0865A (TO-220 FP / TO-220F-2FS) | |
| 10 | FFSB1065A (D2PAK-3 / TO-263-2) | FFSB10120A (D2PAK-3 / TO-263-2) |
| 10 | FFSD1065A (DPAK-3 / TO-252-3) | FFSD10120A (DPAK-3 / TO-252-3) |
| 10 | FFSH10120A (TO-247-2) | |
| 10 | FFSH10120ADN (TO-247-3) | |
| 10 | FFSM1065A (PQFN-4) | |
| 10 | FFSP1065A (TO-220-2) | FFSP10120A (TO-220-2) |
| 10 | FFSPF1065A (TO-220 FP / TO-220F-2FS) | |
| 12 | FFSB1265A (D2PAK-3 / TO-263-2) | |
| 12 | FFSM1265A (PQFN-4) | |
| 12 | FFSP1265A (TO-220-2) | FFSP15120A (TO-220-2) |
| 15 | FFSH15120A (TO-247-2) | |
| 15 | FFSH15120ADN (TO-247-3) | |
| 16 | FFSH1665A (TO-247-2) | |
| 16 | FFSH1665ADN (TO-247-3) | FFSH20120ADN (TO-247-3) |
| 16 | FFSP1665A (TO-220-2) | |
| 20 | FFSB20120A (D2PAK-3 / TO-263-2) | |
| 20 | FFSH2065A (TO-247-2) | FFSH20120A (TO-247-2) |
| 20 | FFSH2065ADN (TO-247-3) | FFSH20120ADN (TO-247-3) |
| 20 | FFSP2065A (TO-220-2) | FFSP20120A (TO-220-2) |
| 20 | FFSPF2065A (TO-220 FP / TO-220F-2FS) | |
| 30 | FFSH3065A (TO-247-2) | |
| 30 | FFSH30120A (TO-247-2) | |
| 30 | FFSH3065ADN (TO-247-3) | FFSH30120ADN (TO-247-3) |
| 30 | FFSP3065A (TO-220-2) | |
| 40 | FFSH4065A (TO-247-2) | FFSH40120A (TO-247-2) |
| 40 | FFSH4065ADN-F155 (TO-247-3) | FFSH40120ADN (TO-247-3) |
| 50 | FFSH5065A (TO-247-2) | |
| 50 | FFSH5065A -F155 (TO-247-3LD) | FFSH50120A (TO-247-2) |
汽车
| IF(ave) (A) | VRRM 650V | VRRM 1200V |
|---|---|---|
| 10 | FFSB1065B-F085 (D2PAK-3 / TO-263-2) | FFSB10120A-F085 (D2PAK-3 / TO-263-2) |
| 10 | FFSD1065B-F085 (DPAK-3 / TO-252-3) | |
| 10 | FFSH1065B-F085 (TO-247-2LD) | FFSH10120A-F085 7-2) |
| 10 | FFSH20120ADN-F085 (TO-247-3) | |
| 10 | FFSP1065B-F085 (TO-220-2) | |
| 20 | FFSB2065BDN-F085 (D2PAK-3 / TO-263-2) | FFSB20120A-F085 (D2PAK-3 / TO-263-2) |
| 20 | FFSB2065B-F085 (D2PAK-3 / TO-263-2) | |
| 20 | FFSH20120A-F085 (TO-247-2) | |
| 20 | FFSH2065BDN-F085 (TO-247-3) | FFSH40120ADN-F085 (TO-247-3) |
| 20 | FFSH2065B-F085 (TO-247-2LD) | |
| 20 | FFSP2065B-F085 (TO-220-2) | |
| 30 | FFSB3065B-F085 (D2PAK-3 / TO-263-2) | |
| 30 | FFSH3065B-F085 (TO-247-2) | |
| 30 | FFSP3065B-F085 (TO-220-2) | |
| 40 | FFSH4065BDN-F085 (TO-247-3LD) | FFSH40120ADN-F085 (TO-247-3) |
| 50 | FFSH5065B-F085 (TO-247-2LD) |
绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 和SiC 二极管共封装
- AFGHL50T65SQDC: 混合IGBT, 650V, 50A Fieldstop 4 沟槽 IGBT 和 SiC-SBD
SiC 二极管+ IGBT 模块
- FPF2G120BF07AS: 功率集成模块，F2, SiC 二极管 + IGBT, 650 V, 40 A
- FPF2C110BI07AS2: 功率集成模块， F2, SiC 二极管 + MOSFET + IGBT, 650 V
- FPF2G120BF07ASP: 功率集成模块，F2, SiC 二极管 + IGBT, 650V, 40A热介面材料
- NXH80B120H2Q0SG: 功率集成模块，SiC 二极管 + IGBT, 1200 V, 40 A
碳化硅MOSFET
工业
- NTHL080N120SC1: N沟道型，碳化硅MOSFET 1200V, 80mΩ, TO247−3L
汽车
- NVHL080N120SC1: N沟道型，碳化硅MOSFET 120 V, 80mΩ, TO247−3L