ワイドバンドギャップ技術-潮流のアプリケーションの実現

ワイドバンドギャップ素材が将来の高性能アプリケーションを推進

最も重要なアプリケーションおよび最新の電子部品業界の潮流では、均一性のあるシリコンデバイスでのみ達成できる高電圧、高周波数、および高温性能の要求が次第に高まっています。

炭化ケイ素(SiC)などの素材を使用したワイドバンドギャップ半導体技術は、電気自動車向けの自動車DC-DC、オンボード充電器アプリケーション、ソーラー電源、無停電電源、サーバー電源など、重要な高成長の最終アプリケーション分野に利点と高い信頼性をもたらしつつあります。

ワイドバンドギャップ技術が提供する高度な性能:

  • スイッチングの高速化
  • 電力損失の低下
  • 電力密度の増加
  • より高い動作温度

 

この性能は、将来の市場の需要と傾向に合致しています:

  • 性能向上
  • 小型ソリューション
  • 軽量化
  • システムコストの削減
  • 信頼性向上

アプリケーション

  • ソーラーブースト・コンバータおよびインバータ
  • 力率補正
  • 電気自動車の充電
  • 無停電電源
  • サーバーおよび電気通信の電源

オン・セミコンダクターのSiCポートフォリオ構成:

Why Choose SiC diodes?

  • No reverse recovery current
  • Higher switching frequency
  • Low forward voltage (VF)
  • Stable leakage current over temperature
  • Higher surge and avalanche capacity
  • Higher operating temperature (TJMAX = 175°C)

These characteristics deliver real value:

  • Reduced magnetics and other passive components
  • Higher power density and lower system cost
  • Higher reliability
  • Higher system efficiency

 

Commercial

 

IF(ave) (A) VRRM 650V VRRM 1200V
4 FFSB0465A (D2PAK2 (TO-263-2L))
4 FFSD0465A (DPAK-3 / TO-252-3)  
4 FFSM0465A (PQFN-4)  
4 FFSP0465A (TO-220-2)  
5   FFSP05120A (TO-220-2)
6 FFSB0665A (D2PAK-3 / TO-263-2)  
6 FFSD0665A (DPAK-3 / TO-252-3)  
6 FFSM0665A (PQFN-4)  
6 FFSP0665A (TO-220-2)  
6 FFSPF0665A (TO-220 FP / TO-220F-2FS)  
8 FFSB0865A (D2PAK-3 / TO-263-2)  
8 FFSD0865A (DPAK-3 / TO-252-3) FFSD08120A (DPAK-3 / TO-252-3)
8 FFSM0865A (PQFN-4)  
8 FFSP0865A (TO-220-2) FFSP08120A (TO-220-2)
8 FSPF0865A (TO-220 FP / TO-220F-2FS)  
10 FFSB1065A (D2PAK-3 / TO-263-2) FFSB10120A (D2PAK-3 / TO-263-2)
10 FFSD1065A (DPAK-3 / TO-252-3) FFSD10120A (DPAK-3 / TO-252-3)
10   FFSH10120A (TO-247-2)
10   FFSH10120ADN (TO-247-3)
10 FFSM1065A (PQFN-4)  
10 FFSP1065A (TO-220-2) FFSP10120A (TO-220-2)
10 FFSPF1065A (TO-220 FP / TO-220F-2FS)  
12 FFSB1265A (D2PAK-3 / TO-263-2)  
12 FFSM1265A (PQFN-4)  
12 FFSP1265A (TO-220-2) FFSP15120A (TO-220-2)
15   FFSH15120A (TO-247-2)
15   FFSH15120ADN (TO-247-3)
16 FFSH1665A (TO-247-2)  
16 FFSH1665ADN (TO-247-3) FFSH20120ADN (TO-247-3)
16 FFSP1665A (TO-220-2)  
20   FFSB20120A (D2PAK-3 / TO-263-2)
20 FFSH2065A (TO-247-2) FFSH20120A (TO-247-2)
20 FFSH2065ADN (TO-247-3) FFSH20120ADN (TO-247-3)
20 FFSP2065A (TO-220-2) FFSP20120A (TO-220-2)
20 FFSPF2065A (TO-220 FP / TO-220F-2FS)  
30 FFSH3065A (TO-247-2)  
30   FFSH30120A (TO-247-2)
30 FFSH3065ADN (TO-247-3) FFSH30120ADN (TO-247-3)
30 FFSP3065A (TO-220-2)  
40 FFSH4065A (TO-247-2) FFSH40120A (TO-247-2)
40 FFSH4065ADN-F155 (TO-247-3) FFSH40120ADN (TO-247-3)
50 FFSH5065A (TO-247-2)  
50 FFSH5065A -F155 (TO-247-3LD) FFSH50120A (TO-247-2)

 

Automotive

 

IF(ave) (A) VRRM 650V VRRM 1200V
10 FFSB1065B-F085 (D2PAK-3 / TO-263-2) FFSB10120A-F085 (D2PAK-3 / TO-263-2)
10 FFSD1065B-F085 (DPAK-3 / TO-252-3)  
10 FFSH1065B-F085 (TO-247-2LD) FFSH10120A-F085 7-2)
10   FFSH20120ADN-F085 (TO-247-3)
10 FFSP1065B-F085 (TO-220-2)  
20 FFSB2065BDN-F085 (D2PAK-3 / TO-263-2) FFSB20120A-F085 (D2PAK-3 / TO-263-2)
20 FFSB2065B-F085 (D2PAK-3 / TO-263-2)  
20   FFSH20120A-F085 (TO-247-2)
20 FFSH2065BDN-F085 (TO-247-3) FFSH40120ADN-F085 (TO-247-3)
20 FFSH2065B-F085 (TO-247-2LD)  
20 FFSP2065B-F085 (TO-220-2)  
30 FFSB3065B-F085 (D2PAK-3 / TO-263-2)  
30 FFSH3065B-F085 (TO-247-2)  
30 FFSP3065B-F085 (TO-220-2)  
40 FFSH4065BDN-F085 (TO-247-3LD) FFSH40120ADN-F085 (TO-247-3)
50 FFSH5065B-F085 (TO-247-2LD)  

IGBTs with copack SiC Diodes

  • AFGHL50T65SQDC: Hybrid IGBT, 650V, 50A Fieldstop 4 tranch IGBT with SiC-SBD

Modules with SiC Diodes + IGBT

  • FPF2G120BF07AS: Power Integrated Module, F2, SiC Diode + IGBT, 650 V, 40 A
  • FPF2C110BI07AS2: Power Integrated Module , F2, SiC Diode + MOSFET + IGBT, 650 V
  • FPF2G120BF07ASP: Power Integrated Module, F2, SiC Diode + IGBT, 650V, 40A with thermal interface material
  • NXH80B120H2Q0SG: Power Integrated Module, SiC Diode + IGBT, 1200 V, 40 A

SiC MOSFETs 
Industrial

  • NTHL080N120SC1: N‐Channel Silicon Carbide MOSFET 1200 V, 80 mΩ, TO247−3L

Automotive

  • NVHL080N120SC1: N‐Channel Silicon Carbide MOSFET 1200 V, 80 mΩ, TO247−3L

SiC MOSFET Driver

 

  • NCP51705: SiC MOSFET Driver, Low-Side, Single 6 A High-Speed

Related Links

Wide Band Gap Ecosystem

SiC MOSFETs

Featured Product

NCP51705

Single 6 A, low-side SiC MOSFET driver with high peak output current with split output stages

ON Semiconductor NCP51705 chip