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EVAL-1ED3122MC12H-SiC 包括 650V 和 1200V SiC MOSFET, 需要根據使用情況焊接到板上。
EVAL-1ED3122MC12H-SiC 板：
- 可以採用半橋配置的英飛淩CoolSiC™ MOSFET。
- 能夠評估 CoolSiC MOSFET 650V 或 1200V。
- 針對具有隔離電源的板載隔離柵極驅動器進行了優化，可以提供所需的電壓。